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二氧化铪(HfO2)薄膜制备的研究进展

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随着集成电路的迅速发展,高K值柵介质材料将成为下一代MOS器件最具有希望的候选材料,HfO2具有宽带隙和高介电常数而备受关注.本文简述了HfO2薄膜的制备方法及研究进展.

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来源
《陶瓷》 |2009年第2期|10-12|共3页
作者
谈国强; 贺中亮; 刘剑; 博海洋; 宋亚玉; 娄晶晶; 李锋娟;
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作者单位

陕西科技大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710021;

陕西科技大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710021;

陕西科技大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710021;

陕西科技大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710021;

陕西科技大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710021;

河南大学,河南,开封,47500;

陕西宝光集团股份有限公司,陕西,宝鸡,721304;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类硅酸盐工业 ;
关键词
HfO2; 薄膜 ; 研究进展;

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