4H-SiC器件击穿特性的新型解析模型

吕红亮; 张义门; 张玉明

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4H-SiC器件击穿特性的新型解析模型

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基于4H SiC材料参数,同时考虑雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,建立了一套新型击穿解析模型.模型中首次考虑了雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,能够反映温度、掺杂浓度等参数对器件击穿特性的影响.利用这一模型计算得到4H SiC微波功率MESFET极限功率特性.采用MATLAB编程工具计算得到的结果与实验结果符合较好.

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来源
《西安电子科技大学学报》 |2003年第6期|771-774|共4页
作者
吕红亮; 张义门; 张玉明;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构、器件;
关键词
4H-SiC; 雪崩碰撞; 带间隧穿; 击穿特性; 最大功率密度; 碳化硅器件;

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