4H-SiC SJ结构反向击穿电压的解析模型

摘要

提出了4H-SiC超级结结构反向击穿电压的二维解析模型。通过求解Poisson方程,获得了反向击穿电压的解析表达式,该表达式描述了反向击穿电压与器件参数如掺杂浓度、长度、宽度和温度等的关系。通过对导通电阻的优化,获得了导通电阻与击穿电压的关系为Ron∝VB1.4。并对模型结果进行了讨论,结果与二维数值仿真吻合得很好。