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4H-SiC肖特基势垒二极管伏-安特性的解析模型

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在分析 4H SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上 ,计算了肖特基势垒高度eff和串联电阻Ron.通过对反向电流各种输运机制的分析 ,提出了一种计算反向电流密度的理论模型 .计算结果与实验数据的比较表明 ,隧道效应是反向电流的主要输运机理 .

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来源
《西安电子科技大学学报》 |2001年第4期|467-471|共5页
作者
常远程; 张义门; 张玉明;
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作者单位

西安电子科技大学微电子所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体二极管;
关键词
肖特基势垒二极管; 隧道效应; 碳化硅; 伏-安特性; 解析模型;

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