首页> 中国专利> 具有准确乘方伏－安特性的半导体二极管

具有准确乘方伏－安特性的半导体二极管

页面导航

摘要

本发明提供一种用电路综合方法设计的具有准确乘方v－i(伏－安)特性的半导体二极管,本器件电路结构的主电路单元具有一个模拟乘法器1,它的一个乘法输入端X

1. 具有准确乘方伏－安特性的半导体二极管 [P] . 中国专利： CN1212513A . 1999-03-31
2. 具有多项式伏－安特性的半导体二极管 [P] . 中国专利： CN1212514A . 1999-03-31
3. Surge-current-resistant semiconductor diode with soft recovery behavior and methods for producing a semiconductor diode [P] . 美国专利： US8476712B2 . 2013-07-02

机译：具有软恢复特性的耐浪涌电流的半导体二极管及其制造方法
4. Surge current tolerant semiconductor diode with soft recovery behavior and method for manufacturing semiconductor diode [P] . 日本专利： JP5345596B2 . 2013-11-20

机译：具有软恢复特性的耐浪涌电流的半导体二极管及其制造方法
5. Surge-Current-Resistant Semiconductor Diode With Soft Recovery Behavior and Methods for Producing a Semiconductor Diode [P] . 美国专利： US2012018846A1 . 2012-01-26

机译：具有软恢复特性的耐浪涌电流的半导体二极管及其制造方法