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王冲; 冯倩; 郝跃; 杨燕;
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
感应耦合等离子体; 刻蚀速率; 选择性刻蚀; 选择比; 刻蚀损伤;
机译:SiCl_4气体感应耦合等离子体反应离子刻蚀用于嵌入式AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管
机译:Cl_2 / Ar / BCl_3电感耦合等离子体对GaN / AlGaN异质结构的非选择性刻蚀
机译:通过AlGaN表面的电感耦合等离子体刻蚀在Al_2O_3 / AlGaN / GaN结构中产生界面陷阱态
机译:使用感应耦合等离子体对GaN,AlGaN和AlN进行选择性和非选择性蚀刻
机译:电和热感应物理缺陷对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性的影响。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:Al2O3 / AlGaN / GaN结构中的界面陷阱态是通过感应耦合等离子体蚀刻AlGaN表面引起的
机译:GaN / alGaN耦合量子阱中工程子带间非线性在宽带宽应用中的优化性能
机译:GAN半导体薄膜固体薄膜的电感耦合等离子体刻蚀工艺设计
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
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