一种感应耦合等离子体刻蚀设备及刻蚀方法

摘要

本发明公开一种感应耦合等离子体刻蚀设备及刻蚀方法。该感应耦合等离子体刻蚀设备包括刻蚀腔、激励射频电源、第一偏压射频电源，还包括第二偏压射频电源，第二偏压射频电源的频率明显低于第一偏压射频电源频率。本发明能够通过调节不同频率射频偏压来控制离子能量的分布，从而调节刻蚀的工艺，使得刻蚀的速度和角度更加可控。另外，由于在低气压和低偏压射频频率下，离子的平均自由程比较大，刻蚀的功率利用率比较高，因此，可以以相对低的功率快速刻蚀，实现绿色节能加工。本发明适用于磁性隧道结的刻蚀。