磁控溅射制备纳米Ni-Al薄膜的表面粗糙度和电阻率的研究

王晶; 余花娃

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研究了在纳米厚度范围内,Ni-Al薄膜的电阻率与表面粗糙度的关系. 利用直流磁控溅射方法,使用高纯度(99.99%)的Ni 、Al靶, 通入Ar气制备了Ni-Al薄膜,薄膜的厚度为15nm～140nm. 在室温下通过直线四探针和原子力显微镜测量了不同厚度Ni-Al薄膜的电阻率和表面粗糙度,结果表明电阻率变化和表面粗糙度成近似线性关系.

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来源
《西安工程大学学报》 |2009年第4期|150-153|共4页
作者
王晶; 余花娃;
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作者单位

西安工程大学,理学院,陕西,西安,710048;

西安工程大学,理学院,陕西,西安,710048;

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正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
Ni-Al薄膜; 磁控溅射; 粗糙度; 电阻率;

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