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张万荣; 曾峥;
西安交通大学;
双极晶体管; HBT; 基区渡越时间; 基区杂质; 锗;
机译:Si / Si_(1-y-z)Ge_yC_z / Si HBT中基本渡越时间的建模以及使其最小化的成分分布设计问题
机译:基于使用掺杂,成分和应变相关的SiGe:C载流子迁移率和弛豫时间的流体力学建模的SiGe:C HBT渡越时间分析
机译:利用近高斯掺杂分布和基区成分线性分级提高InP / InGaAs HBT光电混合器的转换增益
机译:估计Al y inf> Ga 1-y inf> As HBT在高斯掺杂基区中从低到中等高注入水平的渡越时间
机译:评价非侵入性脉冲渡越时间方法学对高血压的诊断。
机译:水文学单元的存储动力学控制着山坡的连通性径流的产生以及集水区渡越时间分布的演变。
机译:用于高频微波功率放大的siGe HBT的基区优化
机译:半球形静电分析仪的出口位置和渡越时间分析
机译:具有预定Ge含量分布的SiGe基区的HBT
机译:超声波渡越时间流量计以及用于检测超声波渡越时间流量计中的故障的方法
机译:超声波渡越时间流量计及检测超声波渡越时间故障的方法
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