电子温度对SiGe HBT基区渡越时间的影响

李蕊; 杨双健; 王宗满; 彭波; 陈海俊

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电子温度对SiGe HBT基区渡越时间的影响

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讨论了采用能量传输模型时的SiGe HBT基区电子温度分布,以及电子温度对基区渡越时间的影响.计算结果表明:基区电子温度呈现明显的不均匀分布,从发射极侧到集电极侧逐渐增大;电子温度分布主要由基区Ge分布决定,而基区掺杂对电子温度的影响不大.考虑基区电子温度分布时基区渡越时间减小,在较大的Ge分布梯度下,电子温度对基区渡越时间的影响不可忽略.

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来源
《重庆理工大学学报》 |2009年第12期|176-178|共3页
作者
李蕊; 杨双健; 王宗满; 彭波; 陈海俊;
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作者单位

重庆理工大学数理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
SiGe; HBT; 电子温度; 基区渡越时间;

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