机译:基于物理的高注入渡越时间模型应用于SiGe HBT中的势垒效应
Alabama Microelectron. Sci. & Technol. Center, Auburn Univ., AL, USA;
Ge-Si alloys; heterojunction bipolar transistors; microwave bipolar transistors; semiconductor device models; semiconductor device breakdown; current density; electron mobility; carrier density; charge injection; semiconductor materials; SiGe HBTs; b;
机译:SiGe HBT中混合模式降解机理的基于预测物理的TCAD建模
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机译:SiGe HBT中异质结势垒效应的高注入渡越时间模型
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