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胡辉勇; 张鹤鸣; 戴显英; 宣荣喜; 俞智刚; 王喜媛;
中国电子学会;
SiGe; 异质结双极晶体管; 集电结空间电荷区; 渡越时间;
机译:基于物理的高注入渡越时间模型应用于SiGe HBT中的势垒效应
机译:基于使用掺杂,成分和应变相关的SiGe:C载流子迁移率和弛豫时间的流体力学建模的SiGe:C HBT渡越时间分析
机译:一个封闭形式的分析性正向渡越时间模型,考虑了在77 K下工作的BJT器件的带隙变窄效应模型和浓度依赖性扩散系数的特定模型
机译:集电极基极结空间电荷区渡越时间对SiGe HBT中噪声的紧凑建模
机译:评价非侵入性脉冲渡越时间方法学对高血压的诊断。
机译:毛细管渡越时间异质性对BOLD信号的影响
机译:超声评估食管渡越时间:性别和体重指数的影响超声食管渡越时间:性别和体重指数的影响
机译:半球形静电分析仪的出口位置和渡越时间分析
机译:离子传感器是发射区和接收区之间的渡越时间。
机译:超声波渡越时间流量计以及用于检测超声波渡越时间流量计中的故障的方法
机译:超声波渡越时间流量计及检测超声波渡越时间故障的方法
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