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戴显英; 吕懿; 张鹤鸣; 何林; 胡永贵; 胡辉勇;
西安电子科技大学微电子研究所;
中国电子科技集团公司电子第二十四研究所;
SiGe-HBT; 大电流密度; 基区渡越时间模型; 载流子浓度分布; 迁移率; 锗化硅;
机译:基于使用掺杂,成分和应变相关的SiGe:C载流子迁移率和弛豫时间的流体力学建模的SiGe:C HBT渡越时间分析
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机译:SiGe HBTs渡越时间的解析大电流模型
机译:评价非侵入性脉冲渡越时间方法学对高血压的诊断。
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机译:半球形静电分析仪的出口位置和渡越时间分析
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