超薄基区SiGe HBT基区渡越时间能量传输模型

摘要

通过求解玻尔兹曼能量平衡方程,得出基区的电子温度分布,建立了考虑电子温度变化,适用于超薄基区SiGe HBT的基区渡越时间模型。该模型考虑了电子温度对迁移率的影响,基区重掺杂和Ge引起的禁带变窄效应及速度饱和效应。比较了用能量传模型与漂移扩散模型计算的截止频率,利用器件模拟软件ATLAS进行了模拟,结果与能量传输模型计算结果吻合。