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势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响

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在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系.结果表明:大电流密度下的势垒效应会增大基区渡越时间,基区Ge的不均匀分布并不能完全起到减小基区渡越时间的作用.

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来源
《重庆理工大学学报》 |2007年第15期|133-135|共3页
作者
李蕊;
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作者单位

重庆工学院数理学院;

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正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
SiGe; HBT; 基区渡越时间; 势垒效应;

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