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张万荣; 李志国; 孙英华; 程尧海; 陈建新; 沈光地;
北京工业大学电子工程系;
异质结晶体管; 掺杂; 基区渡越时间; 硅; 锗化硅; HBT;
机译:基于使用掺杂,成分和应变相关的SiGe:C载流子迁移率和弛豫时间的流体力学建模的SiGe:C HBT渡越时间分析
机译:Si / SiGe-HBT中未掺杂间隔层对渡越频率影响的模拟
机译:具有超高增益带宽积的基于Si / SiGe的碰撞电离雪崩渡越时间光电二极管的动态分析
机译:估计Al y inf> Ga 1-y inf> As HBT在高斯掺杂基区中从低到中等高注入水平的渡越时间
机译:Si / SiGe双量子点中的单重态-三重态电子自旋量子位。
机译:PReS-FINAL-1011:重复的T细胞受体刺激能否导致人类传统T细胞中treg特异性脱甲基区域的表观遗传重编程?
机译:Si / Si1-Xgex / Si异质结双极晶体管的严重掺杂基区的带隙缩小。
机译:半球形静电分析仪的出口位置和渡越时间分析
机译:超声波渡越时间流量计以及用于检测超声波渡越时间流量计中的故障的方法
机译:渡越时间计算程序,渡越时间计算方法和信息处理设备
机译:超声波渡越时间流量计及检测超声波渡越时间故障的方法
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