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摘要
第1章 绪论
1.1 HBT概述
1.2 HBT结构与工作原理
1.2.1 BJT结构与原理
1.2.2 HBT材料结构与工作原理
1.3 衡量HBT器件性能的主要电学参数
1.4 HBT材料体系与结构改进
1.4.1 HBT材料体系
1.4.2 HBT的结构改进
1.5 InP基锑化物基区HBT研究历史和现状
1.5.1 InP/GaAsSb/InP DHBT的提出
1.5.2 InP基锑化物基区DHBT的发展
1.6 本文研究意义及内容安排
第2章 器件模型理论和GaAsSb材料特性
2.1 引言
2.2 弛豫时间近似下求解玻耳兹曼输运方程
2.2.1 玻耳兹曼方程
2.2.2 弛豫时间近似
2.2.3 电流密度和能流密度方程
2.3 能量平衡模型与流体动力学模型
2.4 材料参数模型
2.4.1 载流子复合模型
2.4.2 碰撞电离模型
2.4.3 载流子迁移率模型
2.5 GaAsSb材料特性
2.5.1 晶体结构和晶格匹配
2.5.2 能带参数
2.5.3 有效质量和有效状态密度
2.5.4 载流予迁移率
2.5.5 载流子寿命
2.5.6 热导率与热阻
2.6 本章小结
第3章 InP/GaAsSb/InP DHBT性能分析
3.1 引言
3.2 器件结构和模型
3.3 不同器件物理模型的结果与分析
3.4 本章小结
第4章 InP/InGaAs/GaAsSb/InP DHBT性能分析
4.1 引言
4.2 具有InGaP缓变结构的InP/GaAsSb/InP DHBT器件性能分析
4.2.1 器件结构和模型
4.2.2 缓变发射结InP/GaAsSb/InP DHBT器件结果与分析
4.3 As组分缓变基区InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT器件热电性能分析
4.3.1 器件结构与模型
4.3.2 缓变基区InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT器件结果与分析
4.4 本章小结
第5章 InP/InGaAsSb/InGaAs DHBT性能分析
5.1 引言
5.2 器件结构与模型
5.3 InP/InGaAsSb/InGaAs DHBT器件结果与分析
5.4 本章小结
第6章 总结与展望
6.1 总结
6.2 展望
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间录用和发表的论文
浙江工业大学;