紫外压印光刻中阻蚀胶残膜刻蚀工艺

摘要

针对紫外(UV)压印光刻在压印工艺过程中会产生阻蚀胶残膜的技术特点,采用以O2为反应气体来清除阻蚀胶残膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺方法,研究了不同的反应气体流量、反应腔室压力、射频功率等刻蚀参数对刻蚀速率和刻蚀各向异性的影响,得到了刻蚀速率和刻蚀各向异性随各刻蚀参数的变化趋势图.实验结果表明,减小反应气体压力和气体流速可以降低刻蚀速率,提高刻蚀各向异性.通过对刻蚀参数的优化配置,当射频功率在200W、反应气体流速在30 mL/min、反应腔室压力为0.6 Pa时,刻蚀速率可以稳定在265 nm/min,各向异性值可以达到13,因此实现了对压印图质形的高质量转移.