Pt/NiO/Nb:SrTiO3异质结的阻变、光响应及磁性

摘要

利用脉冲激光沉积法在Nb:SrTiO3(NSTO)单晶衬底上制备了NiO薄膜并构筑了Pt/NiO/NSTO异质结器件。该器件表现出典型的双极性阻变行为,具有多级电阻变换特性和优异的保持与翻转性能。在光照作用下,器件高阻态(high resistance state,HRS)的电阻值减小到暗场下电阻值的约1/100,而低阻态(low resistance state,LRS)的阻值无明显变化。对器件磁性的研究表明,LRS下的饱和磁化强度明显高于初始态(initial state,IS)和HRS下的饱和磁化强度。这些结果归因于NiO/NSTO界面的电子注入束缚/解束缚和氧空位迁移。该器件在非易失性多级存储、光敏、磁电等多功能器件中有潜在的应用价值。