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何进; 杨传仁;
成都电子科技大学微电子所;
多晶硅; 晶界势垒; 转折温度; AIN基片; 掺杂;
机译:重硼掺杂LPVCD多晶硅薄膜的低温电阻率
机译:重掺杂多晶硅的电阻率和电阻率温度系数的物理模型
机译:在薄氮掺杂的多晶硅上使用硼掺杂的多晶硅的多层栅极结构的亚1 / 4- / spl mu / m栅表面沟道PMOSFET的特性
机译:重硼磷掺杂多晶硅薄膜的制备和分析中的一些物理问题
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:在TiNb上沉积硼掺杂DLC膜及其机械性能和血液相容性的表征
机译:原位磷和硼掺杂多晶硅膜的电气性质
机译:半导体测量技术:磷和硼掺杂硅的电阻率和掺杂浓度之间的关系
机译:制备具有最小电阻率的热氧化硼掺杂多晶硅的硼硅化物方法
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