一种低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材及其制备方法。其由0.03‑0.5wt％的硼、99.4wt％‑99.9wt％的硅及杂质制备得到。本发明还保护了所述微硼溅射旋转硅靶材的制备方法。本发明通过在硅旋转靶材材料的硅中添加硼，并引进新的生产工艺，得到的产品电阻率更低，结合强度高，极大的提高了产品性能，可广泛用于液晶显示玻璃镀膜、光学镀膜等领域，对行业的进步有极大的推动作用。