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刘晓为; 张国威; 刘振茂; 理峰;
哈尔滨工业大学;
多晶硅; 膜膜; 电阻率; 硼; 掺杂; 温度;
机译:重硼掺杂LPVCD多晶硅薄膜的低温电阻率
机译:沉积温度和压力对化学气相沉积生长的硼掺杂多晶硅Si 13 SUB> Ge 87 SUB>薄膜结构和电性能的影响
机译:无结全栅多晶硅薄膜晶体管的温度和掺杂浓度相关特性
机译:氮对硼掺杂多晶硅薄膜特性的影响
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:多孔多晶硅薄膜上Cr掺杂TiO2纳米粒子的光催化活性
机译:硼掺杂硅电阻,有效质量和电阻率的温度和掺杂剂密度依赖性的理论与实验研究
机译:硼掺杂硅中空穴迁移率,有效质量和电阻率的温度和掺杂浓度依赖性的理论和实验研究
机译:制备具有最小电阻率的热氧化硼掺杂多晶硅的硼硅化物方法
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