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孙奉娄; 黄新堂;
中南民族学院电子工程系;
华中师范大学;
铁电薄膜; 非易失性记忆; 测试; 记忆性能; 存储器;
机译:固态:更新:CCD和气泡存储器:商业单元包括64 kbit电荷耦合器件和92 kbit磁气泡存储器
机译:具有3D结构的管道式BiCS闪存技术,可实现超高密度非易失性存储器:实现了16个堆叠存储器的测试芯片,每层具有1 Gbit
机译:通过分析空间电荷浓度表征64 Mbit铁电随机存取存储器的耐久性
机译:具有最新开发的BLT薄膜和稳定集成方案的高度可靠的1 Mbit铁电存储器
机译:PLZT铁电和多层复合薄膜的介电和磁滞特性研究。
机译:NiFe / PLZT多铁性薄膜异质结构中铁磁共振的非易失性铁电开关
机译:存储器:Memristor动力学和混合阴离子 - 电子SRTIO3-ΔBits的扩散特性:基于忆铃的COTTRELL分析与设备性能的连接材料(ADV。Funct。Matter。47/2014)
机译:定制LsI / VLsI电路的测试和可测试性的最新评估。第七卷。内置测试(BIT)和内置测试设备(BITE)。
机译:适应于将多个BITS编程到一个存储器中的存储器,并从该存储器中读取不同数量的BITS
机译:BIT承诺系统,BIT承诺方法,BIT承诺传输设备,BIT承诺接收设备,BIT承诺传输方法,BIT承诺接收方法和BIT承诺程序
机译:在PLZT铁电体薄膜形成用成分中,由PLZT铁电体用成分构成
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