存储器

摘要： 随着传感器和采集存储器在各种导弹装置中的广泛应用,为满足某强冲击试验装置在飞行中的数据及弹体膛内运动参数在测量中高速准确存储数据和回读数据的需要,文中设计一种针对强冲击试验装置测试弹存储器的回读系统。该系统分为硬件设计与软件设计,硬件部分采用锂电池供电,以FPGA为控制核心,USB控制芯片选用FT232H,FLASH存储芯片选用K9WBG08U1M;软件部分设置有FT232通信协议,并将FT232H配置为异步FIFO接口,提升传输速率,且FPGA内部FIFO为数据缓存负责缓存回读数据。经过试验验证和实际工程运用,完成系统设计,回读系统满足小型化便携式设计原则,结果实现了回读系统与上位机之间的数据通信,最终能够达到8 MB/s的速度并能准确完成数据传输、存储和回读工作,还能有效分析存储记录,具备一定的工程实用价值。

摘要： 一台海信HZ43E35A型液晶电视,开机后屏上交替显示“聚好看及其他应用停止服务”字符,按遥控器无法退出,不能正常收看。拆开机壳,目测三合一主板上无明显损坏的元件。根据故障现象分析,软件损坏的可能性较大。在淘宝.上与海信电视卖家咨询,好几个店家都说只要屏幕.上显示“应用停止服务”就无法刷机,只能换存储器或主板。

摘要： (上接2期)6.EMMC存储器本机采用的EMMC芯片是U1(标签标为ZLM41G-JV1001,丝印型号为5BA16-JW963),存储整机启动引导程序和主程序。该芯片的供电电压是DVDD3V3,即U2(AZ1084CD)输出的3.3V_Normal电压。

摘要： 固态硬盘是数据存储的关键媒介,是关键信息基础设施的重要组成部分。调研数据显示,国产品牌的计算机存储设备代表品种--固态硬盘的市场占有率正逐步提升,市场份额的近四成产品,由国产品牌供应商提供。在产品市场占有率提升的同时,有一些深层次的问题也不容忽视,正确看待这些问题并提出相应的解决措施,可以引导国产固态硬盘产业持续健康发展。

摘要： 为了解决日益严重的存储墙问题对计算系统的制约,应对新的存储应用需求,新型存储器正逐渐从科研走向产业化。英特尔、三星、台积电等国际巨头纷纷加入相关技术的产业化推进中。新型存储技术主要包括相变存储、磁变存储和阻变存储。相变存储适用于大容量的独立式存储应用,磁变存储适用于小容量高速低功耗的嵌入式应用,阻变存储则有可能在未来的人工智能、存算一体等领域发挥作用。

摘要： 随着大数据和数字化转型的广泛应用,传统的集中式存储架构已无法满足信息化场景下的业务需求,如何建设具有高可靠、高性能、易管理以及丰富企业级功能的存储系统,已成为业务人员需要研究的技术课题。本文就如何在数据化转型的大形势下建设新的网络存储系统进行研究与分析。

摘要： 综述了热纳米压印、紫外纳米压印、微接触印刷三种具有代表性的纳米压印(NIL)技术的原理、工艺流程和优缺点,并介绍了近几年来纳米压印技术的研究进展及其在光学器件、存储器、柔性器件和生物传感器等领域中的应用现状。

摘要： 工艺能力的不断提升使得高密度大容量存储器成为可能,伴随着存储器单元尺寸和芯片面积的不断缩小,介电质绝缘层厚度随之变薄,可靠性窗口不断变小,存储器循环擦写耐久性与长时间数据保持等可靠性问题变得敏感突出,面临严峻挑战。循环擦写耐久性评估存储器的可反复擦写性能,数据保持测试表征存储器在不带电或带电情况下长时间数据保持能力,考核浮栅存储电荷的保持能力。文章通过对存储器擦写耐久性和数据保持测试数据的分析比较,初步探讨了两者的失效机理,最后介绍了影响存储器擦写耐久性和数据保持能力的其他可能因素。

摘要： 1回顾与展望回顾2021年,反复的疫情抑制了供应链的正常运转,并造成了全球消费需求的意外波动。与之形成反差的是,中国半导体产业受益于国内出色的疫情管控,以及成熟的产业结构,迎来了又一轮质的飞跃。从市场端来看,汽车、工业、消费电子呈现持续增长的态势,推动了MCU(microcontroller unit,微控制器)、存储器、传感器等一系列产品的需求量。

摘要： 研究存储器数据保持时间的温度加速效应,建立数据保持时间寿命预测方法和温度加速模型,实现应用温度数据保持时间的准确预测。通过研究和分析存储器在不同温度下的阈值电压随时间加速衰减测试数据,采用阿列纽斯模型即温度倒数(1/T)模型和温度(T)模型,推导出了温度加速参数,分别进行了应用温度下数据保持时间预测外推,并和应用温度下实际测试数据外推的数据保持寿命进行对比分析,得出数据保持寿命预测的准确模型。对比分析结果显示,阿列纽斯模型温度倒数(1/T)模型会导致预测寿命结果偏好很多倍,和实测数据结果差异较大,而温度(T)模型对数据保持时间寿命的预测很接近,也更为准确。分析比较了数据保持时间寿命预测的两种加速模型,即阿列纽斯温度倒数模型和温度模型,验证了温度模型可大幅度提高数据保持时间的预测准确度。

摘要： 针对军事装备、卫星、电子设备以及其它辐射环境下型号设备的大容量存储器的数据快速传输需求,研发高可靠65nm工艺下存储器迫在眉睫.目前65nm的民用制造工艺已经相当成熟,比起180nm、130nm,65nm工艺下,器件的尺寸进一步减小,性能有了较大的提升,功耗进一步降低.所以,基于65nm民用工艺,构建性能优化的基本软、硬IP库,对高性能、高可靠SoC芯片的设计实现,对保障军用电子系统的高效、稳定运行,具有极其重要的意义.本文提出了一种65nm民用工艺存储器高可靠性的设计技术,该设计包含dummy电路技术以及灵敏放大器技术两方面,最终达到高可靠的设计指标.

摘要： 本文针对弹载SiP中集成的存储器器件的功能测试需求,开展了弹载SiP内嵌存储器测试方法的研究,将弹载SiP内嵌存储器的测试分为筛选测试与系统功能测试两个阶段.围绕SiP内嵌存储器器件本身的筛选测试要求,提出一个结合了针对存储器外围连接线测试的"三步法"和针对存储器存储单元阵列测试的算法的新的测试算法——"T-s&March S/B"算法.并以某款弹载SiP芯片的内嵌的三个双口RAM为例开展了筛选测试,后续按照功能测试需求,根据其弹上应用特点对双口RAM进行了系统级功能测试和软件实现.

摘要： 以USB协议和USB海量存储协议为基础,以TMS320C6711DSP器件为网络控制节点的核心处理器,以提高智能控制系统网络节点的存储能力为目的,对基于USB的DSP网络控制节点存储器的开发进行了分析.实现了基于USB的DSP网络控制节点存储器,其功能主要包括软、硬件两方面的工作,提供了硬件结构框图和软件开发部分的一些程序流程图.

摘要： 星载计算机系统是卫星平台服务系统的控制核心,星载计算机系统利用其自身的软硬件资源,完成星务管理、姿轨控管理、能源管理、热控管理、时间管理、故障检测恢复与隔离等重要功能.星载计算机系统能否正常运行往往决定着整个卫星任务的成败.因此,在有限的资源条件下,开展星载计算机系统的优化设计及可靠性提升是一项长期性工作.本文首先对当前星载计算机系统在高轨卫星领域的应用现状进行了分析,主要涉及处理器最小系统的存储器设计、数据共享及总线协议设计等.针对上述三个方面存在的不足,本文提出了处理器最小系统存储器优化设计方案,解决了存储器应用与选型的困境;采用"SRAM存储器+隔离电路"的设计方法,实现了主备机数据共享;提出了一种自适应总线协议设计方法,解决了1553B总线协议通用性较差等问题.本文提出的设计方法,在我国下一代大容量通信卫星平台的星务计算机系统中得以应用,并取得了较好的效果,也为星载计算机系统后续优化设计工作提供了新的思路.

摘要： 在下一代航电系统中,数据库将继续被大量使用.除了导航,障碍物和地形数据库,其他数据密集型应用也在不断地涌现,如图像识别和“大数据”存储.此外,多核设备的发展和应用增加了多用户同时读取数据库的需求.而不断发展的存储技术也可为下一代飞机提供更大的数据存储容量.与此同时,一个新的存储器接口标准NVMe被业界广泛推广,其能够将大容量存储器有效地连接在一起.本文将对NVMe技术及应用于ARINC664网络文件系统的适用性和兼容性进行评估.

摘要： 中冶陕压重工设备有限公司,从汉川机床厂购置的几台配置了FANUC-0-MATE系统的数控立式铣床XK714,XK715,XK716.由于使用年限较长,系统逐渐老化,设备进入故障多发期.机床在正常停电或者突然断电再重新启动后,经常是使用一段时间就产生不间断报警"920WATCHDOG ALARM",怀疑可能是存储器出现故障所致.由于机床的PLC程序固化在PMC板上的芯片里,只能对FANUC-0-MATE系统的数据进行备份,对存储器进行初始化操作和恢复.

摘要： 本文通过读取故障电能表存储器中相关数据,进行数据相关性的分析,建立故障诊断算法和故障分析模型,定位故障功能模块.设计故障智能电能表分析系统,实现故障表自动诊断、分类和存储等功能,建立故障表信息库,为电能表可靠性试验标准、新检测方法等研究提供基础数据.

摘要： 本文介绍了一款40纳米工艺下512×11b两端口存储器的设计、可异步和同步复位,支持按位写入操作.提出了一种带复位端口的读写端口分离的12管存储单元,支持复位操作、写入操作和读出操作,读操作与写操作分离.写操作需经行写再列写才能写入存储单元,适当加大写入晶体管尺寸以提高写入速度.列选读出和动态读出电路提高了读出速度,层次式位线读出降低了局部位线读出的动态功耗.对40纳米下的一些版图小尺寸效应,本文结合版图设计给出了如何减小这些效应的版图设计策略.版图后的模拟结果表明,在40纳米WC Corner条件下,全定制与半定制的存储器相比,面积减小了88.1％,读出时间减少了20％,平均功耗降低了94.6％.

摘要： 随着3D NAND技术迅速成为企业级闪存的标准,并在各类应用中得到广泛应用,面向更高性能,更高存储密度和更低成本的持续创新和发展从而变得至关重要.传统的3D NAND闪存工艺由于受到高温、应力等复杂因素,折衷影响到性能的表现.不仅如此,将CMOS与外围电路在同一片晶圆上并排加工也浪费了硅的面积并增加了冗余的工艺.长江存储创新XtackingTM架构成功地克服了这些挑战,释放3D NAND的全部潜力.XtackingTM将为存储密度的持续增长注入新的动力,同时将为闪存带来前所未有的更高性能,更低的成本,以及更短的开发周期和产品上市周期.挑战和机遇并存,长江存储将迎难而上,服务智能手机,SSD和物联网应用领域不断增长的需求.

摘要： 随着3D NAND技术迅速成为企业级闪存的标准,并在各类应用中得到广泛应用,面向更高性能,更高存储密度和更低成本的持续创新和发展从而变得至关重要.传统的3D NAND闪存工艺由于受到高温、应力等复杂因素,折衷影响到性能的表现.不仅如此,将CMOS与外围电路在同一片晶圆上并排加工也浪费了硅的面积并增加了冗余的工艺.长江存储创新XtackingTM架构成功地克服了这些挑战,释放3D NAND的全部潜力.XtackingTM将为存储密度的持续增长注入新的动力,同时将为闪存带来前所未有的更高性能,更低的成本,以及更短的开发周期和产品上市周期.挑战和机遇并存,长江存储将迎难而上,服务智能手机,SSD和物联网应用领域不断增长的需求.

摘要： 所揭示实施例包含存储器单元操作方法、存储器单元编程方法、存储器单元读取方法、存储器单元及存储器装置。在一个实施例中，存储器单元包含字线、第一位线、第二位线及存储器元件。所述存储器元件电连接到所述字线且选择性地电连接到所述第一位线及所述第二位线。所述存储器元件经由所述存储器元件的电阻状态存储信息。所述存储器单元经配置以经由从所述第一位线穿过所述存储器元件流到所述字线的第一电流或从所述字线穿过所述存储器元件流到所述第二位线的第二电流传达所述存储器元件的所述电阻状态。

摘要： 在一个方面中，一种操作存储器单元的方法包含使用不同于用来读取所述存储器单元的经编程状态的电极的电极来改变所述存储器单元的所述经编程状态。在一个方面中，存储器单元包含具有接纳于其之间的材料的第一及第二相对电极。所述材料具有相对于彼此为不同组成的第一及第二横向区域。沿着所述材料的两个横向相对边缘中的一者接纳所述第一及第二横向区域中的一者。沿着所述材料的所述两个横向相对边缘中的另一者接纳所述第一及第二横向区域中的另一者。所述第一及第二横向区域中的至少一者能够重复地编程到至少两个不同电阻状态。本发明揭示其它方面及实施方案。

摘要： 本发明描述交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法以及写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法。在一个实施例中，交叉点存储器单元包含：字线，其沿第一方向延伸；位线，其沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述位线与所述字线在彼此无物理接触的情况下交叉；及电容器，其形成于所述字线与所述位线之间此交叉所在处。所述电容器包括经配置以防止DC电流从所述字线流动到所述位线及从所述位线流动到所述字线的电介质材料。

摘要： 所揭示实施例包含存储器单元操作方法、存储器单元编程方法、存储器单元读取方法、存储器单元及存储器装置。在一个实施例中，存储器单元包含字线、第一位线、第二位线及存储器元件。所述存储器元件电连接到所述字线且选择性地电连接到所述第一位线及所述第二位线。所述存储器元件经由所述存储器元件的电阻状态存储信息。所述存储器单元经配置以经由从所述第一位线穿过所述存储器元件流到所述字线的第一电流或从所述字线穿过所述存储器元件流到所述第二位线的第二电流传达所述存储器元件的所述电阻状态。

摘要： 一种具备信息过滤检测功能的存储器，是将信息存储在每一存储器地址中并且能够将该信息读出的存储器，此存储器具备有：将从外部所赋予并用于将被存储在存储器中的数据作比较的第1数据、和用于将地址彼此间作比较的第2数据，此双方的输入数据作输入的输入单元；利用从此输入单元所赋予的上述双方的输入数据，将被作了存储的信息的数据以及地址的双方双重并列地进行合格与否的判定，并对于该双方的合格与否的判定的结果更进而并列地进行逻辑运算的单元；以及将在上述逻辑运算中所合格的此存储器的上述地址进行输出的单元，由于此一具备信息过滤检测功能的存储器具备有上述的特征，因此不但能够进行智能性的信息检索，并且亦能够广泛地利用在人工智能中。

摘要： 本文中所提供的可以是存储器控制器、具有该存储器控制器的存储器系统以及操作该存储器控制器的方法。存储器控制器可以包括：中央处理单元，被配置为生成包括用于控制存储器设备的操作的命令和地址的命令集；温度信息生成器，被配置为基于温度感测值生成温度信息；以及存储器接口，被配置为通过将温度信息包括在命令集中来生成扩展命令集，并将扩展命令集传输到存储器设备。

摘要： 一种操作存储器设备的方法，包括：接收针对数据通道的训练请求；根据所述训练请求检测至少一个模式参数；向外部设备发送检测到的模式参数；基于来自所述外部设备的模式寄存器设置配置信息将NRZ模式和PAM4模式中的至少一个设置为传输信令模式；以及，根据已设置的传输信令模式与所述外部设备执行通信。

摘要： 本申请公开了存储器装置、存储器控制器、存储器系统及其操作方法。在数据编程操作或数据擦除操作被挂起并执行数据读取操作之后，在执行数据输出操作之前，当存储器控制器将预恢复命令输出到存储器装置时，恢复被挂起命令挂起的数据编程操作或数据擦除操作，并且与恢复的数据编程操作或恢复的数据擦除操作并行地执行数据输出操作。因此，可以以平衡的方式提高读取质量、编程质量和擦除质量。

摘要： 用于非易失性存储器的地址管理，将整个逻辑地址空间划分成逻辑地址范围(0至15)，将物理地址空间划分成物理区(分段0至15)。使逻辑地址范围分别与物理区相关联，以管理所述地址。使逻辑地址范围的大小均衡。使与要存储诸如FAT之类被更频繁地重写的数据的逻辑地址范围(0)对应的物理区(分段(0))的大小比其它物理区的大小大，并分配逻辑地址范围和物理区。最为替换，使物理区的大小均衡，设置逻辑地址范围(0)的大小比其它逻辑地址范围的大小小。这样，物理区(分段)的实际重写频率彼此相等，由此能够延长非易失性存储器的寿命。

摘要： 本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列以及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成堆叠，所述堆叠包括竖直交替的第一层和第二层。沟道材料串在所述竖直交替的第一层和第二层中的个别沟道开口中。导体材料接触件处于所述个别沟道开口中，直接抵靠所述沟道材料串中的个别沟道材料串的所述沟道材料。所述导体材料接触件竖直凹入所述个别沟道开口中。导电通孔直接抵靠所述个别沟道开口中的竖直凹入的所述导体材料接触件形成于所述个别沟道开口中。公开其它方面，包含与方法无关的结构。