BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜的I-V特性研究

易图林; 张颖; 谢艳丁

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BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜的I-V特性研究

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为了有效阻止锆钛酸铅镧(PLZT)与半导体界面发生反应和互扩散,根据锆钛酸铅镧和钛酸铋(BIT)各自的铁电性能,采用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法制备了BIT/PLZT/BIT多层结构铁电薄膜,测量和分析了它的I-V特性曲线.结果表明,这种结构吸收了锆钛酸铅镧和钛酸铋的优点,提高了铁电薄膜的铁电性能,为进一步研究薄膜的存储特性提供了基础.

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来源
《空天预警研究学报》 |2006年第4期|279-281|共4页
作者
易图林; 张颖; 谢艳丁;
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作者单位

空军雷达学院基础部;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类强性介质和压电介质;
关键词
BIT/PLZT/B1T多层铁电薄膜; 铁电性能; 电流-电压特性; 脉冲准分子激光沉积;

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