准分子激光制备BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜的电容特性研究

摘要

采用脉冲准分子激光工艺在６３０℃（ＢＩＴ）和５３０℃（ＰＬＺＴ）条件下，分别在ｐ型Ｓｉ（１００）和ｎ型Ｓｉ（１００）单晶基片上成功地演积了ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ多层结构铁电薄膜，采用低频阻抗分析仪分析电容特性，结果表明在ｐ型Ｓｉ苈片上Ｃ－Ｖ回线是顺时针方向，崦在ｎ型Ｓｉ基片上Ｃ－Ｖ回线是逆时针方向，分析了它们的Ｃ－Ｖ特性曲线的记忆窗口，表明多层铁电薄膜是铁电场效应管理相的栅极材料，讨论了记忆窗口