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李兴教; 赵建洪; 安承武; 李再光; 李少平;
华中理工大学固体电子学系;
华中理工大学激光技术国家重点实验室;
Argonne National Laboratory Argonne Illinois;
USA 60439;
BIT; PZT; BIT; 铁电薄膜; 记忆特性; C-V特性;
机译:SOL-GEL法制备的PZ-PZT多层薄膜的结构和C-V特性(按PZ / PZT系列顺序)
机译:射频多靶磁控溅射制备铁电PBTIO3薄膜的C-V曲线的压力依赖性
机译:KrF准分子激光烧蚀技术制备铁电Pb-Zr-Ti-O薄膜
机译:通过脉冲激光沉积和耐疲劳性C-V特性在低温下制备SR_(0.7)Bi_(2 + X)Ta_2O_9薄膜,耐脉冲激光沉积,耐疲劳的C-V特性,具有大的内存窗口
机译:PLZT铁电和多层复合薄膜的介电和磁滞特性研究。
机译:出版商更正:外延钙钛矿薄膜的铁电-铁磁界面的原子尺度工程以提供功能特性
机译:铁电薄膜的收集和表征:LIEC集团 - UFsCar制备和铁电薄膜的特性
机译:铁电90(度)域形成与化学制备的pb(Zr,Ti)O(sub 3)薄膜电性能的关系
机译:铁电薄膜多层基板,铁电薄膜元件以及铁电薄膜多层基板的制造方法
机译:取向特性多层铁电薄膜及其制备方法
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