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HBM模型中IC器件氧化层击穿机理

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在IC器件氧化层介质击穿物理模型的基础上, 讨论人体带电放电模型(HBM ESD)中波动电压加于氧化层上时绝缘介质氧化层的击穿机理.

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来源
《上海海事大学学报》 |2004年第4期|86-88|共3页
作者
孙可平; 孙志强;
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作者单位

上海海运学院,基础教学部,上海,200135;

上海海运学院,基础教学部,上海,200135;

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正文语种 chi
中图分类电学性质;
关键词
氧化层击穿; IC器件; 静电防护; 介质击穿;

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