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IC器件在HBM ESD脉冲电压下的介质击穿实验研究

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在IC器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBMESD)中的波动电压加于氧化层上时的介质击穿.发现了氧化层上的俘获空穴密度临界值随薄膜厚度的变化十分敏感,当厚度由0.010μm减少至0.003μm时,俘获空穴密度临界值由0.100C/cm2减少至0.002C/cm2.相应地,IC器件抗ESD的性能也急剧下降.

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来源
《中国物理学会静电专业委员会第十二届学术年会》|2005年|38-40|共3页
会议地点青岛
作者
孙可平; 苗凤娟;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类电学;各类型放电;理论;
关键词
静电放电; HBM模型; 介质击穿; 物理模型; 氧化绝缘层; 俘获空穴密度;

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