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王金延; 许铭真; 谭长华;
北京大学微电子所;
器件表征; 比例差值; MOSFET; 场效应晶体管;
机译:基于半导体器件仿真的多目标进化算法方法优化氧化铝氧化锗MOSFET的电容特性
机译:基于晶体管电压 - 基于电压测量的测试结构,用于快速MOSFET器件不匹配表征
机译:基于MOSFET的电力电子器件实时模温预测的测量和表征技术
机译:先进的MOSFET设计方法和使用反向建模的校准方法可准确预测器件特性
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:基于QSAR / QSTR方法的合成短阳离子脂肽的抗菌和溶血特性的表征
机译:利用统计TCaD模拟预测mOsFET器件特性分布的有效方法
机译:用于alxGa(1-x)as / Gaas mOsFET和相关异质结器件的Gaas和p + Gaas层的半导体器件处理蚀刻剂溶液的表征
机译:具有均匀器件特性的基于InP的MOSFET的Epi结构和制造方法
机译:基于产品晶片特性表征半导体发光器件的方法
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