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摘要
Abstract
Contents
第一章 绪论
1.1研究背景
1.2碳化硅材料及SiC MOSFET 功率器件
1.2.1 碳化硅材料
1.2.2 SiC MOSFET 功率器件发展历程
1.3 可靠性研究现状
1.3.1 静电放电研究
1.3.2 短路电流研究
1.3.3 热阻测试研究
1.4 本文的主要工作
第二章SiC MOSFET功率器件低频噪声特性与电学特性测试
2. 1 噪声的分类与特性
2.1.1 噪声的分类
2.1.2 几种噪声的基本特性
2. 2 两类噪声模型
2. 2.1 G-R噪声模型
2. 2.2 1/f噪声模型
2. 3 低频噪声测试
2. 4 氧化层界面缺陷提取与分析
2. 4.1 界面缺陷密度随表面费米能级分布
2. 4.2 界面缺陷密度随氧化层空间分布
2.5 电学参数测试
2.5.1 静态电学参数测试
2.5.2 电容电学特性测试
2.6 本章小结
第三章 ESD应力下SiC MOSFET功率器件退化行为及物理机制研究
3.1 ESD模型与测试系统
3.1.1 ESD放电模型
3.1.2 ESD测试机理
3.2 ESD应力实验方案
3.3 ESD应力实验结果
3.3.1 ESD应力下电参数退化
3.3.2 SiC MOSFET 器件噪声测试实验结果
3.4 ESD应力导致器件退化的物理机制
3.5 本章小结
第四章 短路电流应力下SiC MOSFET功率器件退化行为及物理机制研究
4.1 功率器件短路类型
4.2 短路电流应力实验
4.2.1 短路电流实验原理图
4.2.2 功率器件驱动芯片
4.3 短路电流应力实验方案
4.3.1 短路电流应力实验连接图
4.3.2 短路电流应力实验过程
4.3.3 短路电流应力电学参数
4.3.4 短路电流应力实验器材
4.4 短路电流应力实验结果
4.4.1 250 V/5 μs短路电流应力下参数退化
4.4.2 250 V/25 μs短路电流应力下参数退化
4.5 短路电流应力导致器件退化的物理机制
4.6 本章小结
第五章 基于瞬态双界面法的SiC MOSFET功率器件热阻测试方法研究
5.1 热阻
5.1.1 器件结温
5.1.2 传热方式
5.1.3 热阻定义
5.2 基于瞬态双界面法的结壳热阻测试方法
5.3 热阻测试实验设备
5.4 SiC MOSFET功率器件瞬态双界面热阻测试
5.4.1 SiC MOSFET功率器件 Tj与Vgs的关系
5.4.2 测量结温随时间的变化
5.4.3 瞬态双界面法测量热阻
5.5 瞬态双界面法的热阻测试结果
5.6 本章小结
总结及展望
总结
展望
参考文献
攻读学位期间发表的论文
学位论文独创性声明
学位论文版权使用授权声明
致谢
