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机译:在极端短路操作中,确保平面和沟槽功率SiC MOSFET器件具有原始且安全的“失效打开”模式
机译:极端短路操作中的平面和沟槽功率SiC MOSFET器件的栅极泄漏电流分析和建模
机译:SiC电源Mosfet在短路操作中的电路类型建模,包括选择性的失效打开和失效短路竞争
机译:无损短路操作中1200 V SiC功率MOSFET损坏的平面氧化物的研究
机译:平面和沟槽SiC MOSFET在10kW DC / DC转换器中的操作分析了体二极管的影响
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
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