SI GaAS中S^+注入的电学特性

夏冠群; 关安民; 耿海阳; 王渭源

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SI GaAS中S^+注入的电学特性

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本文研究了经常规热退火和快速热退火后SIGaAs中S^+注入的电学特性.热退火后,GaAs中注入S^+的快扩散和再分布不决定于S^+或砷空位V_(AS)的扩散而决定于离子注入增强扩散.使用快速热退火方法能抑制注入S^+在GaAs中的增强扩散,明显减小S^+的再分布,可以获得适合于制造GaAs MESFET器件的薄有源层.

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来源
《半导体学报》 |1989年第7期|542-546|共5页
作者
夏冠群; 关安民; 耿海阳; 王渭源;
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作者单位

中国科学院上海冶金研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类掺杂 ;
关键词
砷化镓; 离子注入; 快速热退火; 扩散;

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