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李代宗; 成步文; 黄昌俊; 王红杰; 于卓; 张春晖; 余金中; 王启明;
中国科学院半导体研究所集成光电子实验室;
SiGe; 组份线性渐变; 缓冲层; 生长特征;
机译:HV / CVD生长的SiGe HMOSFET的生长松弛SiGe缓冲层
机译:在SiGe缓冲层上生长的应变硅的结构表征
机译:具有纯边缘失配位错的Si(001)衬底上松弛应变的SiGe缓冲层的生长和表征
机译:具有在GaAs衬底上生长的线性渐变低温缓冲层的AlInAs / GaInAs MODFET的低噪声偏置可靠性
机译:纳米图案化硅上金属有机气相外延生长的(211)B碲化镉缓冲层的生长和表征,用于基于碲化汞的红外探测器。
机译:缓冲层的原子层沉积用于垂直排列的碳纳米管阵列的生长。
机译:使用siGe缓冲层在si衬底上生长的单结InGap / Gaas太阳能电池
机译:薄缓冲层,用于在不匹配的基板上生长SiGe
机译:用于选择性SiGe生长以实现均匀成核的缓冲层
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