退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
蔡坤煌; 张永; 李成; 赖虹凯; 陈松岩;
厦门大学物理系半导体光子学研究中心;
氧化; 锗硅弛豫缓冲层; 位错;
机译:通过离子注入技术制备的SiGe缓冲层的应变弛豫的离子剂量,能量和物种相关性
机译:SiGe / SiGeC缓冲层上SiGe的低位错密度应变弛豫
机译:一种新颖的三层梯度SiGe应变弛豫缓冲器,可实现高质量晶体并外延生长应变Si_(0.5)Ge_(0.5)层
机译:应变 - Si层厚度对薄缓冲层中脱位分布和SiGe弛豫的影响 - Si / SiGe异质结构
机译:半透明氧化锌:低温制备的铝/铜(I)氧化物薄膜异质结:结处本征ZnO缓冲层的作用
机译:适用于YBCO涂层导体的新型厚厚致密晶格匹配单缓冲层的水溶液化学沉积:制备和表征
机译:使用siGe缓冲层在si衬底上生长的单结InGap / Gaas太阳能电池
机译:具有缺陷稀土氧化物夹层的浸渍式退火缓冲/应变缓和缓冲层上的低缺陷弛豫SiGe /应变Si结构及其制造方法
机译:具有外延稀土氧化物夹层的植入物退火缓冲层/应变松弛缓冲层上的低缺陷松弛SiGe /应变Si结构及其制备方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。