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张兴; 黄如; 王阳元;
北京大学微电子学研究所;
CMOS/SOI; SALICIDE; 辐照特性; 集成电路;
机译:研究在10 Mrad之后采用1.2μm CMOS-SOI技术进行模拟IC设计的器件参数(用于强子对撞机)
机译:基于氧化多孔硅的SOI结构中CMOS器件的总伽马剂量特性
机译:硅量子点基发光器件纳米图案化硅结构抗反射特性的仿真与实验研究
机译:采用28nm UTBB FD-SOI CMOS技术的新型MOS器件结构的最佳原位加热控制
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:硅量子点基发光器件的纳米图案化硅结构抗反射特性的仿真与实验研究
机译:63-meV,1-mrad(si)质子辐照后0.35-(μm)sOI CmOs器件和微功率前置放大器的噪声性能
机译:采用差分STI衬垫的超薄SOI CMOS器件
机译:一种采用沉积的上升源/漏极在超薄SOI上制造CMOS器件的方法
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