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三指发射极InGaP/GaAs HBT的研制

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异质结双极型晶体管(HBT)是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一.本文提出了一种三指发射极HBT的设计.通过与同一版上两指发射极HBT比较,证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和一致性好、成品率高,并且仍然具有两指发射极HBT良好的击穿、直流和高频特性.

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来源
《半导体学报》 |2006年第9期|1604-1607|共4页
作者
杨威; 刘训春; 朱旻; 王润梅; 申华军;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微波半导体器件 ;
关键词
异质结双极型晶体管; 三指发射极; 自对准;

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