一种InGaP/GaAs HBT双频功率放大器芯片

摘要

本发明实施例提供了一种InGaP/GaAs HBT双频功率放大器芯片，上述双频功率放大器芯片包括：衬底、输入端口1、输出端口2、输入匹配电路3、级间匹配电路4、双频输出匹配电路5、驱动级晶体管6以及输出级晶体管7；其中，输入端口1与输入匹配电路3的第一端连接；输入匹配电路3的第二端与驱动级晶体管6的基极连接；驱动级晶体管6的集电极与级间匹配电路4的第一端连接；级间匹配电路4的第二端与输出级晶体管7的基极连接；输出级晶体管7的集电极与双频输出匹配电路5的第一端连接；双频输出匹配电路5的第二端与输出端口2连接。本发明实施例提供的双频功率放大器芯片具备双频工作能力。