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赵玲利; 段小晋; 尹明会; 徐向宇; 王守国;
中国科学院微电子研究所;
中国科学院光电研究院;
常压; 射频; 等离子体刻蚀; 硅;
机译:常压射频冷等离子体对沉积态TiO_2薄膜光催化活性的非热效应
机译:线电极常压等离子体刻蚀切割SiC晶片
机译:常压氩等离子体刻蚀铜酞菁(CuPc)/ C_6o异质结薄膜太阳能电池的旋涂3,4-聚乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)薄膜
机译:常压大功率电感耦合等离子体刻蚀的实验研究
机译:常压高电子迁移率晶体管的设计,仿真和制造,具有温度稳定性研究
机译:超过8个月的常压间歇性低氧并不能减轻体重和代谢风险因素–一项关于常压低氧和常压假性低氧的随机单盲安慰剂对照研究
机译:常压间歇性缺氧超过8个月不会减少体重和代谢风险因素 - 一项随机,单盲,安慰剂对照研究常压缺氧和常压假性缺氧
机译:常压和纤维增强硅陶瓷在环境压力下在大气中25至800℃下在718合金中滑动的摩擦磨损
机译:常温常压常压下由CO合成甲醇的研究
机译:常压等离子体刻蚀方法
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