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大面积平板常压射频冷等离子体系统

摘要

本实用新型公开了一种大面积平板常压射频冷等离子体系统,包括一外壳、射频电源、供气源、等离子体发生器、温度控制系统和支架;在一个外壳内,有两个表面彼此平行且相互绝缘的电极,一个与射频电源连接叫射频电极,另一个与地连接叫地电极;在该射频电极和该地电极之间形成等离子体的放电区间;在该放电区间的两侧和一端设有绝缘材料,该两侧的绝缘材料使两个电极位置相对固定并使电极两侧对外密封,在一端的绝缘材料上开设有通气孔,该通气孔通过进气导管与供气源连接;在该两个电极的另一端开设有长条形的开口,通过该开口可以输送基片进入等离子体的放电区间或从放电区间中取出基片;在地电极的底部设有一个加热器来调节地电极上的温度。

著录项

  • 公开/公告号CN201414256Y

    专利类型

  • 公开/公告日2010-02-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN200920108533.6

  • 发明设计人 王守国;张超前;赵玲利;杨景华;

    申请日2009-05-27

  • 分类号H05H1/46(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-21 23:07:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-21

    专利权有效期届满 IPC(主分类):H05H1/46 授权公告日:20100224 申请日:20090527

    专利权的终止

  • 2016-07-20

    专利权的转移 IPC(主分类):H05H1/46 登记生效日:20160630 变更前: 变更后: 申请日:20090527

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-02-24

    授权

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