常压射频低温冷等离子体清洗光刻胶研究

摘要

介绍了一种新型的常压射频低温冷等离子体放电设备，用该设备进行了清洗光刻胶的工艺实验研究。实验结果表明：在4英寸硅片表面涂上9912光刻胶，用等离子体进行清洗的速率可达500nm/min，测量了清洗速率与放电功率、氧气流量和衬底温度之间的变化关系；并对离子注入(B+，5×1015)后的光刻胶进行了清洗实验，得到清洗速率为300nm/min。清洗后的电镜分析证明，经等离子体清洗后，硅片表面无损伤、无残胶。