常压射频冷等离子体TEOS工艺沉积二氧化硅薄膜的光谱研究

摘要

常压射频冷等离子体是近年来广受关注的一种新兴技术,在薄膜沉积方面已体现出其巨大潜力,但由于等离子体本身反应的复杂性,使其在薄膜沉积方面的机理至今尚未完全清楚.本文旨在从光谱分析的角度,研究常压射频冷等离子体TEOS工艺沉积二氧化硅薄膜.实验中我们检测到了Si和C-H的特征峰,表明二氧化硅是由TEOS在等离子体中分解而形成的.同时还研究了不同输入功率下Si和C-H的特征峰强度的变化情况,并发现其变化规律与生长速率有着很好的相似性.在温度为200℃的条件下所生成的SiO2薄膜的折射率在1.47-1.48的范围内.