一种常压冷等离子体沉积金属单质薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种常压冷等离子体沉积金属单质薄膜的方法，包括以下步骤：步骤一、混合气体被激发电离产生常压冷等离子体，常压冷等离子体在喷嘴的腔体中形成等离子体光焰；步骤二、金属化合物溶液雾化后进入喷嘴的腔体中；步骤三、在保护气体的环绕保护下，等离子体光焰与雾滴发生作用，雾滴中的溶剂蒸发，雾滴中的金属化合物被还原成金属粒子喷射到基体上沉积形成连续的金属单质薄膜。本发明可在常压下沉积金属单质薄膜，反应温度低，适合于热敏性基体，并且无需真空或封闭的沉积室，从而使基体尺寸不受空间的限制，扩大了方法的应用范围；本发明制备的金属单质薄膜性质稳定，无需进行后处理，从而缩短了工艺流程，提高了生产效率。