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GaAs／GaAlAs双异质结光波导开关内带隙的注入载流子感生变化

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本文研究了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结光波导开关内波导层带隙的载流子注入感生变化．给出了带隙变化值随注入载流子浓度变化的关系曲线，并与带填充理论和带隙收缩理论的计算结果进行了对比分析．

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来源
《半导体学报》 |1994年第7期|455-459|共5页
作者
王德煌; 王威礼; 庄婉如; 林雯华;
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作者单位

集成光电子学国家重点联合实验室半导体所实验区;

北京大学物理系;

中国科学院半导体研究所;

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正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
砷化镓; GaAlAs; 光波导开关; 载流子;

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