不同HALO掺杂剂量的超薄栅pMOSFET的退化(英文)

摘要

研究了热载流子应力下栅厚为 2 .1nm ,栅长为 0 .135μm的 p MOSFET中 HAL O掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系 .实验发现 ,器件的退化机制对 HAL O掺杂剂量的改变不敏感 ,但是器件的线性漏电流、饱和漏电流、最大跨导的退化随着 HAL O掺杂剂量的增加而增加 .实验同时发现 ,器件参数的退化不仅与载流子迁移率的退化、漏串联电阻增大有关 ,而且与阈值电压的退化和应力前阈值电压有关 .