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胡靖; 赵要; 许铭真; 谭长华;
北京大学微电子学研究所;
热载流子; 一次碰撞电离; 二次碰撞电离; 复合;
机译:InGaZnO薄膜晶体管在正栅极应力和热载流子应力下器件退化的比较研究
机译:确定不同热载流子应力模式下界面陷阱产生对n-MOSFET退化影响的新方法
机译:a-InGaZnO薄膜晶体管在热载流子应力下高温诱导的亚阈值摆幅和导通电流退化的异常抑制
机译:在加热和热载流子应力下具有SiGe沟道和嵌入式SiGe源/漏应力源的应变pMOSFET
机译:在时间相关的退化分析下估算应力-强度干扰可靠性的方法。
机译:在体外组织生长过程中细胞应力模式逐渐转变为预应力矩阵结构
机译:热循环载荷下热生长氧化物中残留应力场的残留应力场测定,使用XRD和拉曼光谱 - 与微观结构状态的相关性
机译:双极晶体管中热载流子应力与电离诱导退化的相关性
机译:交流(AC)应力测试电路,评估AC应力引起的热载流子注入(HCI)退化的方法以及用于HCI退化评估的测试结构
机译:交流(AC)应力测试电路,评估AC应力引起的热载流子(HCI)退化的方法以及用于HCI退化评估的测试结构
机译:用于在压力下容纳热金属攻击气体(例如氢气和硫化氢)的设备,从而将化学应力和热应力与环向应力分开
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