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陈刚;
南京电子器件研究所;
南京;
210016;
SiC; 欧姆接触; 特征接触电阻率; MESFET; 退火;
机译:钨镍同时欧姆接触p型和n型4H-SiC的特性
机译:Ti / Al / Ni欧姆接触到p型注入的4H-SiC的表面和界面的电和结构特性
机译:退火对p型4H-SiC的Ti / Al欧姆接触特性的影响
机译:Ni_2SI欧姆接触植入4H-SIC型Ni_2SI欧姆接触电流传输机制的比较研究
机译:氮化镓和氮化铝镓器件的欧姆接触和肖特基接触的开发和特性。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:P型Al植入的4H-SIC层上的欧姆接触后的植入后退火
机译:与n型Gasb和n型GaInassb的欧姆接触
机译:4H-SiC形成4H-SiC基板半导体的欧姆接触及其制造方法
机译:在P型4H-SIC基板上形成欧姆接触的方法
机译:形成4H-SiC衬底半导体的欧姆接触及其制造方法
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