Gallium arsenides ; N-type conductors ; Substrates ; Electrical resistance ; Electrons;
机译:n型GaSb和n型GalnAsSb的欧姆接触
机译:II型InAs / GaSb应变层超晶格上的N型欧姆接触
机译:II型InAs / GaSb应变层超晶格上的N型欧姆接触
机译:与n型GaSb的低接触电阻欧姆接触的金属化选项和退火温度
机译:欧姆触点是同性境生长的p型和n型锗
机译:垂直栅全能纳米线GaSb-InAs核壳n型隧道FET
机译:与n型Gasb和n型GaInassb的欧姆接触
机译:与n型Gasb和n型GaInassb的欧姆接触