一种制备具有扩散阻挡层Mo的n型GaSb欧姆接触的方法

摘要

本发明是一种制备具有扩散阻挡层Mo的n型GaSb欧姆接触的方法，该方法采用Au/Mo/Au、Ge/Ni/n-GaSb结构，在接触层Au与掺杂层Au、Ge之间加入一层扩散阻挡层Mo，其厚度为60nm-100nm，形成n型GaSb欧姆接触。本发明的效果在于，金属化系统不仅具有低的比接触电阻，扩大合金温度范围，并且具有平整的表面形貌，提高n-GaSb基半导体激光器器件可靠性。