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张进城; 郝跃; 朱志炜;
西安电子科技大学微电子研究所;
PMOSFET; 热载流子退化; 退化模拟; 寿命评估; 场效应晶体管;
机译:四分之一微米PMOSFET中新的热载流子退化模式和寿命预测方法
机译:纳米级CMOS中热载流子退化的分析模型适用于模拟IC应用中的退化
机译:热载流子退化的SiGe / Si-异质PMOSFET的特性
机译:分离NBTI组件的pMOSFET中沟道热载流子退化的寿命预测
机译:评估湍流模型以模拟燃气轮机端壁的空气动力学和热传递。
机译:甲ami三碘化锡钙钛矿中的长寿命热载流子发光和大蓝移
机译:NmOsFET热载流子诱导退化的综合物理模拟
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机译:估计MOS晶体管的热载流子寿命的方法以及热载流子退化的仿真
机译:交流(AC)应力测试电路,评估AC应力引起的热载流子注入(HCI)退化的方法以及用于HCI退化评估的测试结构
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